Tartalomjegyzék:
- Meghatározás - Mit jelent a ferroelektromos véletlen hozzáférésű memória (FRAM)?
- A Techopedia magyarázza a ferroelektromos véletlen hozzáférésű memóriát (FRAM)
Meghatározás - Mit jelent a ferroelektromos véletlen hozzáférésű memória (FRAM)?
A ferroelektromos véletlen hozzáférésű memória (FRAM, F-RAM vagy FeRAM) a nem felejtő memória egy formája, amely az építészetben hasonló a DRAM-hoz. Ennek ellenére a ferroelektromos réteget alkalmazza dielektromos réteg helyett annak érdekében, hogy elérje a nem illékonyságot. A nem illékony véletlen hozzáférésű memória technológiák egyik lehetséges alternatívájaként tekintve a ferroelektromos véletlen hozzáférésű memória ugyanazokat a funkciókat nyújtja, mint a flash memória.
A Techopedia magyarázza a ferroelektromos véletlen hozzáférésű memóriát (FRAM)
A név ellenére a ferroelektromos véletlen hozzáférésű memória valójában nem tartalmaz vasat. Noramlly ólom-cirkonát-titanátot használ, bár néha más anyagokat is használnak. Bár a ferroelektromos RAM fejlesztése a félvezető technológia korai napjaiban nyúlik vissza, az első ferroelektromos RAM-on alapuló eszközöket 1999 körül gyártották. A ferroelektromos RAM memóriacellát egy bit vonal, valamint egy lemezhez csatlakoztatott kondenzátor alkotja. Az 1 vagy 0 bináris értékeket a dipól kondenzátoron belüli tájolása alapján tároljuk. A dipólus tájolása a feszültség segítségével beállítható és megfordítható.
Összevetve a bevált technológiákkal, mint például a flash és a DRAM, a ferroelektromos RAM nem nagyon használt. A ferroelektromos RAM-ot időnként CMOS-alapú chipekbe ágyazzák, hogy segítsék az MCU-knak a saját ferroelektromos memóriájukat. Ez elősegíti, hogy kevesebb szakaszban legyen a memória az MCU-kba, és jelentős költségmegtakarítást eredményez. További előnye annak, hogy alacsony energiafogyasztással rendelkezik más alternatívákhoz képest, ami nagyban segíti az MCU-kat, ahol az energiafogyasztás mindig akadályt jelent.
A ferroelektromos RAM sok előnnyel jár. A vaku tárolásához képest alacsonyabb fogyasztású és gyorsabb írási teljesítményt nyújt. A hasonló technológiákhoz képest a ferroelektromos RAM több írási és törlési ciklust biztosít. A ferroelektromos RAM-mal nagyobb az adatbiztonság.
Vannak bizonyos hátrányok a ferroelektromos RAM-sel kapcsolatban. Alacsonyabb tárolási kapacitása van a flash eszközökhöz képest, és drága. A DRAM-hoz és az SRAM-hoz képest a ferroelektromos RAM kevesebb adatot tárol ugyanabban a térben. Ezenkívül a ferroelektromos RAM pusztító olvasási folyamata miatt az olvasás utáni írás architektúrára is szükség van.
A ferroelektromos RAM-ot számos alkalmazásban használják, például műszerekben, orvosi berendezésekben és ipari mikrokontrollerekben.
